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扇出型晶圆级封装将成先进封装技术发展要点【资讯】

发布时间:2019-10-09 18:08:10阅读:来源:科盛检测设备

DIGITIMES Research观察,系统级封装结合内嵌式印刷电路板技术虽符合行动装置小型化需求,然于供应链与成本存在问题,另一方面,扇出型晶圆级封装不仅设计难度低于矽穿孔3D IC,且接近2.5D IC概念与相对有助降低成本,可望成为先进封装技术的发展要点。

SiP可堆叠多颗晶片,搭配内嵌式PCB技术,将被动元件或无法SiP的晶片内嵌于PCB,再封装SiP于PCB上,将有利于装置缩减体积,然因PCB的配线密度低于晶片,在内嵌晶片于PCB前,尚需经过可增加接点间距的重新配置层制程,此造成供应链结构复杂,且一般PCB的制程良率约95%,采用内嵌式PCB技术,在PCB制程中5%的瑕疵品内将含有价格较高的晶片,亦将在成本构造上产生问题。

另一方面,为增加晶片与载板、PCB间的I/O(输入/输出)数,TSV 3D IC的概念渐成形,然其设计难度高,因此出现2.5D IC,亦即在晶片与PCB间使用矽中介层,再进行TSV,而由于2.5D IC相对TSV 3D IC不利于缩小体积,且存在TSV矽中介层成本甚高等问题,是以接近2.5D IC概念但有利于降低成本的FoWLP技术渐受重视。

DIGITIMES Research观察,FoWLP在比晶片更广的面积中构成凸块阵列,可对应配线密度较低的载板凸块接点尺寸与间距,因不使用既有打线,其内部连结较短,有利于缩减整体封装厚度,且未使用打线与中介层,亦有助于降低成本,可望成为先进封装技术的发展要点。

2.5D/3D IC及扇入型/扇出型晶圆级封装比较

扇出型晶圆级封装将成先进封装技术发展要点

(责任编辑:HT002)

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